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    MOSFET的導通電阻

    2020-09-15

    何謂導通電阻?

    MOSFET工作(啟動)時,漏極和源極間的阻值稱為導通電阻 (RDS(ON))。
    數值越小,工作時的損耗(功率損耗)越小。

    關于導通電阻的電氣特性

    晶體管的消耗功率用集電極飽和電壓 (VCE(sat)) 乘以集電極電流(IC)表示。

    • (集電極損耗PC))=(集電極飽和電壓VCE(sat) )x(集電極電流IC

    • MOSFET的消耗功率是用漏極源極間導通電阻 (RDS(ON)) 計算。
      MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導通電阻乘以漏極電流(ID)的平方表示。

    • (功率PD)=(導通電阻RDS(ON) ) x (漏極電流ID2

    • 此功率將變成熱量散發出去。
      MOSFET的導通電阻一般在Ω級以下,與一般的晶體管相比,消耗功率小。即發熱小,散熱對策簡單。

    導通電阻-柵極源極間電壓特性、導通電阻-結溫特性

    如左上圖所示,柵極源極間電壓越高,導通電阻越小。另外,柵極源極間電壓相同的條件下,導通電阻因電流不同而不同。計算功率損耗時,需要考慮柵極源極間電壓和漏極電流,選擇適合的導通電阻。
    另外,如右上圖所示,導通電阻因溫度變化而變化,因此需要注意這一特性。

    導通電阻比較

    一般MOSFET的芯片尺寸(表面面積)越大,導通電阻越小。


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